KT 821 B-1 (KT 821 Б-1)

Schalttransistor (komplementär zu KT 820)

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

70.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

10.00 W

Verstärkung (h_21e):

> 25

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 06.11.2024 / 10:23:50