BU 104

Schalttransistor

Hersteller:

Iskra, Zagreb, Jugoslawien

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

150.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

400.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

7.00 A

Leistung (P_tot):

85.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

10.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

10 - 50

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 09:21:27