BU 207

Schalttransistor

Hersteller:

MEV - VR Ungarn, Ungarn

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

600.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

1300.00 V

Strom (I_C):

5.00 A

Leistung (P_tot):

12.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

7.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 2,25

Typen in Klammern sind ähnlich.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 09:30:39