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Datenwartung

BU 326

Schalttransistor

Hersteller:

MEV - VR Ungarn, Ungarn

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

400.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

800.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

5.00 A

Leistung (Ptot):

60.00 W

Grenzfrequenz (fT):

7.50 MHz

Verstärkung (h21e):

> 15

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

BU 326

5.75
4.26
3.45
2.56

BU 326 A

5.75
4.26
3.45
2.56

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 09:36:33