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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SY 170/3

Gleichrichter Anode am Gehäuse

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (UR):

300.00 V

Durchlassgleichstrom (IF):

25.00 A

Frequenz:

1500.00 Hz

Kompatibel:

SSIE 12 - ?---

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BUT 11 - Siemens

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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SY 170/3

9.20
6.82
5.50
4.08

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1985

Letzte Bearbeitung: 22.03.2024 / 08:36:59