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Ab auf die Matte


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Datenwartung

BC 238

Transistor (komplementär BC 308)

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

250.00 MHz

Verstärkung (h21e):

120 - 800

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

BC 238

0.60
0.44
0.36
0.27

BC 238 B

0.65
0.48
0.39
0.29

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 12.11.2024 / 09:26:59