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Datenwartung
BC 238 |
Transistor (komplementär BC 308) |
Hersteller: | I.R.P.S. - Rumänien, Romania |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 300.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 250.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 120 - 800 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
BC 238 |
0.60 |
0.44 |
0.36 |
0.27 |
BC 238 B |
0.65 |
0.48 |
0.39 |
0.29 |
Datenblatt | 1978 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 12.11.2024 / 09:26:59 |