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Datenwartung

BC 239

Transistor (komplementär BC 309)

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Verstärkung (h21e):

180 - 800

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

BC 239 B

0.80
0.59
0.48
0.36

BC 239 C

0.92
0.68
0.55
0.41

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 12.11.2024 / 09:29:42