BCY 58

Transistor (komplementär BCY 78)

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

32.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

32.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

7.00 V

Strom (I_C):

200.00 mA

Leistung (P_tot):

1.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

250.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

120 - 630

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 13.11.2024 / 09:38:32