BD 135

Transistor (komplementär BD 136)

Hersteller:

MEV - VR Ungarn, Ungarn

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

45.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

45.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 250

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BD 135

1.65

1.22

0.99

0.73

BD 135-10

1.75

1.30

1.05

0.78

BD 135-16

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 135 I

1.75

1.30

1.05

0.78

BD 135/BD136 I

4.00

2.96

2.40

1.78

BD 135/BD136 K

4.00

2.96

2.40

1.78

BD 135/BD136 L

4.25

3.15

2.55

1.89

BD 135/BD136

3.85

2.85

2.30

1.70

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1983 - Katalog Unitra

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 13.11.2024 / 10:01:45