BD 136

Transistor (komplementär BD 135)

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

45.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

45.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 250

Typen in Klammern sind ähnlich.

BD 136

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 F

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 G

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 H

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 I

1.90

1.41

1.15

0.85

BD 136 K

1.90

1.41

1.15

0.85

BD 136-10

1.90

1.41

1.15

0.85

BD 136-16

2.00

1.48

1.20

0.89

BD 136-6

1.80

1.33

1.10

0.82

Datenblatt

1978 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

1983 - Katalog Unitra

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 13.11.2024 / 10:03:31