BD 139

Transistor (komplementär BD 140)

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 160

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BD 139

2.20

1.63

1.30

0.96

BD 139-10

2.35

1.74

1.40

1.04

BD 139 G/140 G

5.10

3.78

3.05

2.26

BD 139 H

2.20

1.63

1.30

0.96

BD 139 H/140 H

5.10

3.78

3.05

2.26

BD 139 I/140 I

5.35

3.96

3.20

2.37

BD 139 K

2.35

1.74

1.40

1.04

BD 139 K/140 K

5.35

3.96

3.20

2.37

BD 139/140

5.10

3.78

3.05

2.26

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1983 - Katalog Unitra

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 14.11.2024 / 10:34:27