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Datenwartung

KT 214 B-1 (KT 214 Б-1)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCB) / (UGD):

100.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

7.00 V

Strom (IC):

40.00 mA

Leistung (Ptot):

25.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Verstärkung (h21e):

30 - 90

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 25.11.2024 / 09:25:30