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Datenwartung
KT 502 G (KT 502 Г) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 40.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 300.00 mA |
Leistung (Ptot): | 500.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 5.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 80 - 240 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 502 G |
0.80 |
0.59 |
0.48 |
0.36 |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 27.11.2024 / 09:38:24 |
