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Datenwartung

KT 502 G (KT 502 Г)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

40.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

300.00 mA

Leistung (Ptot):

500.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

5.00 MHz

Verstärkung (h21e):

80 - 240

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 502 G

0.80
0.59
0.48
0.36

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 27.11.2024 / 09:38:24