KT 815 A

Transistor (komplementär KT 814 A)

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

25.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

3.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

KT 815 A

1.55

1.15

0.93

0.69

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 29.11.2024 / 09:38:28