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Datenwartung
KT 815 G (KT 815 Г) |
Transistor (komplementär KT 814 W) |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 1.50 A |
Leistung (Ptot): | 10.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 3.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 30 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 815 G |
2.35 |
1.74 |
1.40 |
1.04 |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 29.11.2024 / 09:40:49 |