KT 961 B (KT 961 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

12.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 160

Kompatibel:

BD 137 -

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 29.11.2024 / 09:44:32