2 N 4033

Transistor

Hersteller:

Iskra, Zagreb, Jugoslawien

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

800.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

150.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

100 - 300

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 30.11.2024 / 09:30:57