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Datenwartung

BD 235

Transistor (komplementär BD 236)

Hersteller:

I.R.P.S. - Rumänien, Romania

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

2.00 A

Leistung (Ptot):

25.00 W

Grenzfrequenz (fT):

3.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 40

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

BD 235

2.60

1.93

1.55

1.15

BD 235/236

6.25

4.63

3.75

2.78

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 5 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 30.11.2024 / 20:39:53