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Datenwartung
BD 236 |
Transistor (komplementär BD 235) |
Hersteller: | I.R.P.S. - Rumänien, Romania |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 60.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 2.00 A |
Leistung (Ptot): | 25.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 3.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 40 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
BD 236 |
3.00 |
2.22 |
1.80 |
1.33 |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 30.11.2024 / 20:40:57 |