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Datenwartung

KT 808 BM (KT 808 БM)

Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

100.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

4.00 V

Strom (IC):

10.00 A

Leistung (Ptot):

50.00 W

Grenzfrequenz (fT):

7.00 MHz

Verstärkung (h21e):

10 - 50

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 808 BM

8.75
6.48
5.25
3.89

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 01.12.2024 / 09:13:35