| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 elektronikbastelkiste.de |
|---|
Datenwartung
KT 816 B (KT 817 Б) |
NF-Transistor (komplementär KT 817 B) |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 45.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 25.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 3.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 25 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 816 B |
2.75 |
2.04 |
1.65 |
1.22 |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 01.12.2024 / 09:26:13 |