KT 818 GM (KT 818 ГM)

NF-Transistor (komplementär KT 819 GM)

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

80.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

4.00 V

Strom (I_C):

15.00 A

Leistung (P_tot):

100.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

3.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 12

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 01.12.2024 / 09:35:37