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Datenwartung
KT 819 W (KT 819 B) |
NF-Transistor (komplementär KT 818 W) |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 10.00 A |
Leistung (Ptot): | 60.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 3.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | > 15 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 819 W |
5.60 |
4.15 |
3.35 |
2.48 |
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 01.12.2024 / 09:43:46 |