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Datenwartung
2 N 3055 |
Transistor (komplementär BDX 18) |
Hersteller: | MEV - VR Ungarn, Ungarn |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 100.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 7.00 V |
Strom (IC): | 15.00 A |
Leistung (Ptot): | 115.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 800.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 20 - 70 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 N 3055 |
13.90 |
10.30 |
8.30 |
6.15 |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 02.12.2024 / 08:55:58 |