BF 679

Transistor

Hersteller:

MEV - VR Ungarn, Ungarn

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

35.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

40.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

3.00 V

Strom (I_C):

30.00 mA

Leistung (P_tot):

160.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

880.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

> 25

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BF 679

2.85

2.11

1.70

1.26

BF 679 N

13.10

9.71

7.90

5.85

BF 679 T

3.50

2.59

2.10

1.56

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 17:30:10