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Datenwartung

KT 382 B (KT 382 Б)

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

10.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

15.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

3.00 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

1800.00 MHz

Verstärkung (h21e):

40 - 330

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 382 B

4.75

3.52

2.85

2.10

KT 382 BM

4.75

3.52

2.85

2.10

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 5 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 21:20:59