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Datenwartung
2 N 3866 |
Transistor |
Hersteller: | Iskra, Zagreb, Jugoslawien |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 55.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 3.50 V |
Strom (IC): | 500.00 mA |
Leistung (Ptot): | 5.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 500.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 100 - 200 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 N 3866 |
4.95 |
3.67 |
2.95 |
2.19 |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 16:26:12 |