2 NC-010

Spitzentransistor

Hersteller:

VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik Teltow, DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

50.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

0.20 V

Strom (I_C):

8.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Verstärkung (h_21e):

40

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1956 Transistoren - Dioden

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1956 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.06.2025 / 08:21:31