CXYP 43-1

Mikrowellendiode

Hersteller:

Instytut Technoligii Elektronowej, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (U_R):

12.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

125.00 mA

Verlustleistung (P_tot):

5.00 mW

Frequenz:

12.00 GHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Datenblatt einzeln

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1990 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 18.02.2025 / 08:59:49