GC 102

Vorstufentransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

50.00 mA

Leistung (P_tot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

6.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.08.2024 / 16:42:47