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Datenwartung

GT 108 A (ГT 108 A)

NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

10.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

50.00 mA

Leistung (Ptot):

75.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

500.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GT 108 A

1.60
1.19
0.96
0.71

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 09.07.2024 / 08:40:37