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Datenwartung
P 306 A (П 306 A) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Strom (IC): | 400.00 mA |
Leistung (Ptot): | 10.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 50.00 kHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KP 306 A |
5.10 |
3.78 |
3.05 |
2.26 |
P 306 A |
1.75 |
1.30 |
1.05 |
0.78 |
Datenblatt | 1973 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1973 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 08:57:21 |