BD 136

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

45.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

0.50 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

150.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 250

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BD 136

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136-10

1.90

1.41

1.15

0.85

BD 136-16

2.00

1.48

1.20

0.89

BD 136-6

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 F

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 G

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 H

1.80

1.33

1.10

0.82

BD 136 I

1.90

1.41

1.15

0.85

BD 136 K

1.90

1.41

1.15

0.85

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

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Datenblatt:

Unitra

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Daten veröffentlicht: 1975

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38