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|---|
Datenwartung
SD 336 B |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bild: |  |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 45.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 45.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 1.50 A |
Leistung (Ptot): | 12.50 W |
Grenzfrequenz (fT): | 210.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 63 - 160 |
Kompatibel: |
BD 136 - - Verschiedene Hersteller |
Amazon |
|
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SD 336 B |
1.90 |
1.41 |
1.15 |
0.85 |
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:49:46 |
