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Datenwartung

OC 811

Flächentransistor (gelb)

Hersteller:

VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik Teltow, DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

25.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

25.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 kHz

Verstärkung (h21e):

40 - 50

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

OC 811

8.40
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Datenblatt:

1957 - Bauelemente der Nachrichtentechnik


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1956 Transistoren - Dioden

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1956 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 07.12.2024 / 15:16:44