GC 121 B

NF-Transistor (früher OC 821)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

20.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

250.00 mA

Leistung (P_tot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

12.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

29 - 55

Kompatibel:

AC 131 - Telefunken

OC 72 - Valvo

OC 72 - Mullard

P 13 - UdSSR
AC 123 - WD
AC 132 - WD
2 N 45 - USA
OC 72 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan
2 SB 89 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 121 B

3.25

2.41

1.95

1.44

GC 121 B

1.50

1.11

0.90

0.67

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:43:09