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Datenwartung
GS 121 |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 121 A |
2.00 |
1.48 |
1.20 |
0.89 |
GS 121 B |
2.95 |
2.19 |
1.75 |
1.30 |
GS 121 C |
3.50 |
2.59 |
2.10 |
1.56 |
GS 121 D |
4.20 |
3.11 |
2.50 |
1.85 |
Datenblatt | 1969 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 08:02:09 |