GS 121

Schalttransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

GS 121 A

2.00

1.48

1.20

0.89

GS 121 B

2.95

2.19

1.75

1.30

GS 121 C

3.50

2.59

2.10

1.56

GS 121 D

4.20

3.11

2.50

1.85

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 08:02:09