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Datenwartung
GS 122 |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 122 |
3.25 |
2.41 |
1.95 |
1.44 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 08:02:43 |
