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Datenwartung

SMY 50

MOSFET

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

PMOS

Spannung (UCE) / (UDS):

31.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

31.00 V

Strom (IC):

25.00 mA

Leistung (Ptot):

225.00 mW

Kompatibel:

BSWP 30 -

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-


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SMY 50

4.70
3.48
2.80
2.07

SMY 50 S 1

1.15
0.85
0.00
0.00

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1982 - Katalog Unitra

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.05.2025 / 09:23:53