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Datenwartung
KT 611 G (KT 611 Г) |
Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 150.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 180.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 3.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 800.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 30 - 120 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 611 G |
2.10 |
1.56 |
1.25 |
0.93 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage | |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 03.12.2024 / 21:43:09 |