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Ab auf die Matte


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Datenwartung

SSY 20

npn-Transistor für digitale Anwendung

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

40.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

60.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

600.00 mA

Leistung (Ptot):

700.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

150.00 MHz

Verstärkung (h21e):

8 - 71

Kompatibel:

BSY 34 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1979 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 09.11.2024 / 17:34:25