BSX 32

Schalttransistor

Hersteller:

Tungsram Budapest, Nepköztarsag Magyaroszag, Ungarn

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

40.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

65.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

6.00 V

Strom (I_C):

1000.00 mA

Leistung (P_tot):

800.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

60 - 150

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 03.11.2024 / 10:35:50