KT 960 A

Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

36.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

4.00 V

Strom (I_C):

7.00 A

Leistung (P_tot):

70.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

600.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.12.2024 / 17:01:43